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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q3017 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 4/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3017 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
4
12.99
Functional Block Diagrams
Block Diagram: 4 Bank
×
4M
×
4 SDRAM
SPB03696
Memory
Array
Bank 0
4096 x 1024
x 4 Bit
C
S
Row Decoder
C
Bank 1
Array
Memory
4096 x 1024
x 4 Bit
Row Decoder
C
Bank 2
Array
Memory
4096 x 1024
x 4 Bit
Row Decoder
C
Bank 3
Array
Memory
4096 x 1024
x 4 Bit
Row Decoder
Counter
Column Address
Column Address
Buffer
A0 - A9, AP, BA0, BA1
Column Addresses
Row Address
Buffer
A0 - A11, BA0, BA1
Row Addresses
Refresh Counter
DQ0 - DQ3
Input Buffer
Output Buffer
Timing Generator
Control Logic &
C
C
C
R
C
W
D
S
S
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1101 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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