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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q530 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256畝× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器的低功耗256畝× 4位動態(tài)隨機(jī)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 26/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q530 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
25
5. Burst Write Operation
Extra data is ignored after
termination of a Burst.
DIN A3
T4
are registered on the same clock edge.
The first data element and the Write
NOP
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
T0
Command
DQ’s
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03790
T6
NOP
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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