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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q530 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的低功耗256畝× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 51/53頁(yè) |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q530 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
50
21. Full Page Write Cycle
21.1 CAS Latency = 2
T14
DBx
~
Command
Bank B
Activate
Addr.
AP
DQM
DQ
Command
Bank A
Activate
Write
Command
Bank A
Hi-Z
RAx
RAx
DAx
DAx 1
CAx
page address back to zero
during this time interval.
the burst counter increments and continues
bursting beginning with the starting address.
CBx
DBx
Write
Command
Bank B
terminate when the burst length is satisfied;
from the highest order
The burst counter wraps
1
DAx
+
DAx 2
~
+3
~
DAx-
~
RBx
RBx
~
~
~
DAx
DAx+1
Full Page burst operation does not
Data is
ignored.
DBx
DBx+1
+
DBx 2
4
3
DBx+
DBx 5
T3
CLK
CKE
CS
CAS
RAS
BS
WE
T0
High
CK2
t
T1
T2
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
~
T4
~
T5
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
SPT03931
Precharge
Command
Bank B
Burst Stop
Command
Command
Bank B
Activate
+6
RBy
RBy
T20
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q543 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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