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參數資料
型號: Q67100-Q530
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM
中文描述: 256畝× 4位動態隨機存儲器的低功耗256畝× 4位動態隨機存儲器
文件頁數: 3/53頁
文件大小: 418K
代理商: Q67100-Q530
HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
3
12.99
Pin Configuration for x4, x8 & x16 Organized 64M-SDRAMs
TSOPII-54 (10.16 mm
×
22.22 mm, 0.8 mm pitch)
SPP03695
20
21
28
19
17
18
16
15
N.C.
DQ0
N.C.
DQ2
N.C.
V
SS
N.C.
DDQ
V
9
10
11
12
13
14
2
3
4
5
6
1
40
39
32
31
30
29
36
35
34
33
37
38
7
8
N.C.
DQ1
N.C.
N.C.
N.C.
DQ3
N.C.
V
SSQ
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A6
A5
A4
V
A3
V
DD
A2
A0
A1
22
23
24
25
26
27
CKE
N.C.
A11
SS
46
45
47
48
50
49
42
41
43
44
CLK
DQM
A7
A8
A9
A10
SSQ
N.C.
N.C.
V
SS
V
DDQ
V
V
SSQ
V
DDQ
SSQ
N.C.
V
N.C.
V
DD
V
DDQ
51
52
54
53
DD
N.C.
V
V
N.C.
WE
A10
A0
A1
A3
V
A2
DD
DD
BA0
BA1
CS
RAS
CAS
V
SSQ
N.C.
DQ2
V
DDQ
N.C.
DQ3
V
SSQ
N.C.
DD
DQ0
V
DDQ
N.C.
DQ1
V
V
CAS
RAS
CS
A10
A0
A3
V
DD
A1
A2
BA0
BA1
WE
LDQM
DD
DQ2
V
DQ3
V
DQ1
V
DQ5
DQ6
V
DQ7
SSQ
DQ4
DDQ
SSQ
DQ0
DDQ
DD
V
V
N.C.
A8
A7
A6
A4
V
SS
A5
CKE
N.C.
A11
A9
DQM
CLK
SS
V
N.C.
DQ5
V
SSQ
N.C.
DQ4
V
N.C.
DDQ
DDQ
DQ7
V
N.C.
DQ6
SSQ
V
SS
V
N.C.
CLK
CKE
UDQM
N.C.
A11
A9
A8
A7
A4
V
SS
A6
A5
SS
DQ15
V
DQ13
V
DQ11
V
DQ9
V
SSQ
DQ14
DDQ
DQ12
SSQ
DQ10
DDQ
DQ8
V
SS
16M x 4
8M x 8
4M x 16
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PDF描述
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