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1N5408-F

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1N5408-F 技術參數
  • 1N5408-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:30pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:30pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408-E3/51 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:30pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,500 1N5408-B 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5408 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:30pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408GP-TP 1N5408G-T 1N5408RL 1N5408RLG 1N5408-T 1N5408TA 1N5408-TP 1N5415 1N5415US 1N5416 1N5416US 1N5417 1N5417C.TR 1N5417-TAP 1N5417TR 1N5417US 1N5418 1N5418C.TR
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