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1N5408GD

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • DIODES

  • DO-201AD

  • 11+

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1N5408GD 技術參數
  • 1N5408G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,250 1N5408G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5408G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:25pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):950mV @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-27(DO-201AD) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 1N5408G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5408TA 1N5408-TP 1N5415 1N5415US 1N5416 1N5416US 1N5417 1N5417C.TR 1N5417-TAP 1N5417TR 1N5417US 1N5418 1N5418C.TR 1N5418-TAP 1N5418TR 1N5418US 1N5419 1N5419E3
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