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1N6485JANTXV

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1N6485JANTXV 技術參數

1N6485 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 1N6484HE3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6484HE3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1,500 1N6484-E3/97 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 1N6484-E3/96 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:SUPERECTIFIER? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:8pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N648UR-1 1N6490US 1N649-1 1N6492 1N649UR-1 1N6506 1N6507 1N6508 1N6509 1N6510 1N6511 1N6536 1N6537 1N6538 1N6539 1N6540 1N6541 1N6542