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APT25GP120BGMI

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  • APT25GP120BGMI
    APT25GP120BGMI

    APT25GP120BGMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • TO-247

  • 11+

  • -
  • 100%進(jìn)口原裝正品,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
APT25GP120BGMI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
APT25GP120BGMI 技術(shù)參數(shù)
  • APT25GP120BG 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:500μJ(開),438μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/70ns 測(cè)試條件:600V,25A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GP120BDQ1G 功能描述:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):69A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):90A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):3.9V @ 15V,25A 功率 - 最大值:417W 開關(guān)能量:500μJ(開),440μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:110nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:12ns/70ns 測(cè)試條件:600V,25A,5 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GN120SG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:22ns/280ns 測(cè)試條件:800V,25A,1 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-268-3,D3Pak(2 引線+接片),TO-268AA 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D3Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GN120BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:2.15μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:22ns/280ns 測(cè)試條件:800V,25A,1 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GN120B2DQ2G 功能描述:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 67A 272W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT,溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):67A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge,Ic 時(shí)的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A 功率 - 最大值:272W 開關(guān)能量:2.15μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:155nC 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:22ns/280ns 測(cè)試條件:800V,25A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT25GT120BRG APT25M100J APT25SM120B APT25SM120S APT26F120B2 APT26F120L APT26M100JCU2 APT26M100JCU3 APT27GA90BD15 APT27HZTR-G1 APT27ZTR-G1 APT28F60B APT28F60S APT28M120B2 APT28M120L APT29F100B2 APT29F100L APT29F80J
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