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APT31M100B2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT31M100B2
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
PLUS247
25+
-
國產品牌，替代進口

APT31M100B2
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3 Variant
23+
-
微芯專營優勢產品

APT31M100B2
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
T-MAX?/FONT>
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

APT31M100B2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁 40條/頁共15條
1

您是不是要找： APT31M100L APT31N60BCSG APT31N80JC3 APT3216CGCK APT3216EC APT3216LSECK/J3-PRV APT3216LSECK/J4-PRV APT3216LSYCK/J3-PRV APT3216LVBC/D

APT31M100B2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT31M100B2 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
POWER MOS 8™
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

APT31M100B2 技術參數

APT30SCD65B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 46A Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:650V 電流 - 平均整流（Io）:46A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 650V 不同?Vr，F 時的電容:945pF @ 1V, 1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT30SCD120S 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Surface Mount D3Pak 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:2100pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3Pak 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT30SCD120B 功能描述:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 99A (DC) Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:碳化硅肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV）電流 - 平均整流（Io）:99A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.8V @ 30A 速度:無恢復時間 > 500mA（Io）反向恢復時間（trr）:0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:600μA @ 1200V 不同?Vr，F 時的電容:2100pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT30S20SG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Surface Mount D3 [S] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-268-3，D3Pak（2 引線+接片），TO-268AA 供應商器件封裝:D3 [S] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:30 APT30S20BG 功能描述:Diode Schottky 200V 45A Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:45A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:850mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:55ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-2 供應商器件封裝:TO-247 [B] 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 APT3216LZGCK APT3216MGC APT3216PBC/A APT3216QBC/D APT3216SECK APT3216SECK/J3-PRV APT3216SECK/J4-PRV APT3216SGC APT3216SRCPRV APT3216SURCK APT3216SYCK APT3216SYCK/J3-PRV APT3216VBC/D APT3216YC APT3216ZGC APT3216ZGCK APT32F120J APT32M80J