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APT35GA90SD15

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT35GA90SD15
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D3PAK，TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

APT35GA90SD15
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
D3
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優勢供應

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1

您是不是要找： APT35GN120BG APT35GN120L2DQ2G APT35GP120B2DQ2G APT35GP120BG APT35GP120J APT35GP120JDQ2 APT35GT120JU2 APT35GT120JU3 APT36GA60B

APT35GA90SD15 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT35GA90SD15 PDF下載

制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
High Speed PT IGBT

APT35GA90SD15 技術參數

APT35GA90BD15 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 開關能量:642μJ（開），382μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:84nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/104ns 測試條件:600V，18A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT35GA90B 功能描述:IGBT PT 900V 63A 290W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:900V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:63A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):105A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.1V @ 15V，18A 功率 - 最大值:290W 開關能量:642μJ（開），382μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:84nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/104ns 測試條件:600V，18A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT35DL120HJ 功能描述:Bridge Rectifier Single Phase 1200V 35A Chassis, Stud Mount 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1200V 電流 - DC 正向（If）:35A 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT34N80LC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 34A TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:355nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4510pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT34N80B2C3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 22A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:355nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4510pF @ 25V 功率 - 最大值:417W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT36GA60BD15 APT36N90BC3G APT37F50B APT37F50S APT37M100B2 APT37M100L APT38F50J APT38F80B2 APT38F80L APT38M50J APT38N60BC6 APT38N60SC6 APT39F60J APT39M60J APT40DC120HJ APT40DC60HJ APT40DQ100BCTG APT40DQ100BG