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APT5010JNX

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  • APT5010JNX
    APT5010JNX

    APT5010JNX

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 6000

  • APT

  • 原廠原裝

  • 23+

  • -
  • 只做原裝正品

  • APT5010JNX
    APT5010JNX

    APT5010JNX

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 86530

  • APT

  • MODULE

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
APT5010JNX PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
APT5010JNX 技術參數
  • APT5010JLLU3 功能描述:MOSFET N-CH 500V 41A SOT227 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):41A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 25V 功率 - 最大值:378W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT5010JLLU2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):41A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 25V 功率 - 最大值:378W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT5010B2LLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT5010B2FLLG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):95nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4360pF @ 25V 功率 - 最大值:520W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 變式 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT4M120K 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 5A TO220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1385pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT5016BLLG APT5018BLLG APT5020BN APT5020BNFR APT5022BNG APT5024BLLG APT5025BN APT50DF170HJ APT50DL120HJ APT50DL60HJ APT50GF120B2RG APT50GF120JRDQ3 APT50GF120LRG APT50GF60JU2 APT50GF60JU3 APT50GLQ65JU2 APT50GN120B2G APT50GN120L2DQ2G
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