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APT50GP60S

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APT50GP60S
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業(yè)執(zhí)照
13678
APT
直插/貼片
2024+
-
代理商庫房現貨

APT50GP60S
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
D3PAK，TO-268
25+
-
國產品牌，替代進口

APT50GP60S
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
原廠封裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

APT50GP60S
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
APT
現貨庫存/特價處理
T
-
假一罰十，百分百原裝正品

APT50GP60S
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
9600
D3 [S]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原裝正品。優(yōu)勢供應

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您是不是要找： APT50GR120B2 APT50GR120JD30 APT50GR120L APT50GS60BRDLG APT50GS60BRDQ2G APT50GS60BRG APT50GT120B2RDLG APT50GT120B2RDQ2G APT50GT120B2RG

APT50GP60S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT50GP60S PDF下載

制造商
ADPOW
制造商全稱
Advanced Power Technology
功能描述
POWER MOS 7 IGBT

APT50GP60S 技術參數

APT50GP60JDQ2 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:525μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GP60J 功能描述:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 功率 - 最大值:329W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:5.7nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1 APT50GP60BG 功能描述:IGBT PT 600V 100A 625W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 開關能量:465μJ（開），637μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/83ns 測試條件:400V，50A，5 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GP60B2DQ2G 功能描述:IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):190A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.7V @ 15V，50A 功率 - 最大值:625W 開關能量:465μJ（開），635μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:165nC 25°C 時 Td（開/關）值:19ns/85ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT50GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 107A 366W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:107A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):150A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，50A 功率 - 最大值:366W 開關能量:1185μJ（開），1565μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:325nC 25°C 時 Td（開/關）值:20ns/230ns 測試條件:400V，50A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT50GT120JRDQ2 APT50GT120JU2 APT50GT120JU3 APT50GT120LRDQ2G APT50GT60BRDQ2G APT50GT60BRG APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2