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APT70GR120JD60

配單專家企業名單

型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

APT70GR120JD60
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
24
Microsemi Power Products
2016+
-
公司現貨！只做原裝！

APT70GR120JD60
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
SOT-227
25+
-
國產品牌，替代進口

APT70GR120JD60
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SOT-227-4
23+
-
微芯專營優勢產品

APT70GR120JD60
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

APT70GR120JD60
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
40
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APT70GR120JD60
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
50
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原裝進口
-
代理渠道可追溯現貨庫存F

APT70GR120JD60
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

1/1頁 40條/頁共18條
1

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APT70GR120JD60 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APT70GR120JD60 PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
IGBT 1200V 112A 543W SOT227
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APT70GR120JD60 技術參數

APT70GR120J 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:112A 功率 - 最大值:543W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:7.26nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 160A 961W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:160A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.2V @ 15V，70A 功率 - 最大值:961W 開關能量:3.82mJ（開），2.58mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:544nC 25°C 時 Td（開/關）值:33ns/278ns 測試條件:600V，70A，4.3 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:1 APT6M100K 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1410pF @ 25V 功率 - 最大值:225W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 [K] 標準包裝:50 APT68GA60LD40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 開關能量:715μJ（開），607μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:198nC 25°C 時 Td（開/關）值:21ns/133ns 測試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:22ns 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT68GA60B2D40 功能描述:IGBT PT 600V 121A 520W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:121A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):202A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，40A 功率 - 最大值:520W 開關能量:715μJ（開），607μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:198nC 25°C 時 Td（開/關）值:21ns/133ns 測試條件:400V，40A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:1 APT75DL60HJ APT75DQ100BG APT75DQ120BG APT75DQ60BG APT75F50B2 APT75F50L APT75GN120B2G APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3