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APT752RBN

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  • APT752RBN
    APT752RBN

    APT752RBN

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-264/TO-3PL

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
APT752RBN PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 750V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-247AD
APT752RBN 技術參數
  • APT70SM70S 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D3Pak 標準包裝:1 APT70SM70J 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):49A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:165W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:1 APT70SM70B 功能描述:POWER MOSFET - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):65A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 32.5A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 [B] 標準包裝:1 APT70GR65B2SCD30 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):260A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:* 輸入類型:* 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td(開/關)值:19ns/170ns 測試條件:433V,70A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT70GR65B2DU40 功能描述:IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX? [B2] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):134A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):280A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,70A 功率 - 最大值:595W 開關能量:* 輸入類型:標準 柵極電荷:305nC 25°C 時 Td(開/關)值:18ns/170ns 測試條件:433V,70A,4.3 歐姆,15V 反向恢復時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT75GN120J APT75GN120JDQ3 APT75GN120JDQ3G APT75GN120LG APT75GN60B2DQ3G APT75GN60BG APT75GN60LDQ3G APT75GP120B2G APT75GP120J APT75GP120JDQ3 APT75GT120JRDQ3 APT75GT120JU2 APT75GT120JU3 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6
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