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APTM50DHM65T

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  • APTM50DHM65T
    APTM50DHM65T

    APTM50DHM65T

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • N93X40-12L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER MOSFET TRANSISTOR
APTM50DHM65T 技術參數
  • APTM50DHM38G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):90A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50DHM35G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):99A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 49.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM50DDAM65T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):51A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 25.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50DDA10T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):37A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 18.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4367pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50DAM38TG 功能描述:MOSFET N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):90A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):246nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G APTM50HM35FG APTM50HM38FG APTM50HM65FT3G APTM50HM65FTG APTM50HM75FT3G APTM50HM75FTG APTM50HM75SCTG APTM50HM75STG APTM50SKM17G APTM50SKM19G APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG
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