欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2570頁 >

APTM50DUM17G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM50DUM17G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G APTM50HM35FG APTM50HM38FG

APTM50DUM17G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTM50DUM17G PDF下載

功能描述
MOSFET MOD DUAL COMMON SRC SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM50DUM17G 技術參數

APTM50DSKM65T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50DSK10T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:37A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 18.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4367pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50DHM75TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5600pF @ 25V 功率 - 最大值:357W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50DHM65TG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM50DHM65T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 51A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:散裝零件狀態:停產 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:51A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:10800pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM50HM65FT3G APTM50HM65FTG APTM50HM75FT3G APTM50HM75FTG APTM50HM75SCTG APTM50HM75STG APTM50SKM17G APTM50SKM19G APTM50SKM35TG APTM50SKM38TG APTM50TAM65FPG APTM50TDUM65PG APTM50UM09FAG APTM50UM13SAG APTM50UM19SG APTM50UM25SG APTM60A11FT1G APTM60A23FT1G