欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > B字母型號搜索 >

BS-C344RE

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BS-C344RE
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
LEDBRIGHT
DIP
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G

BS-C344RE PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BS-C344RE 技術參數

BSC340N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta），23A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:756pF @ 40V 功率 - 最大值:32W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC320N20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2350pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 36A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC320N20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:36A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:32 毫歐 @ 36A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2350pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC265N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:26.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 43μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC252N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.2A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25.2 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 43μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G BSC900N20NS3GATMA1 BSC9131NJE7HHHB BSC9131NJN1HHHB BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB