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BSC-150

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BSC-150 技術參數
  • BSC13DN30NSFDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):300V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2450pF @ 150V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 16A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC130P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta),22.5A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):73.1nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3670pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),69W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 22.5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC130P03LS G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta),22.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 22.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):73.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC12DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.3A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):8.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):680pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 5.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC12DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11.3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 5.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):680pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1
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