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BSC130P03LSGAUMA1

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BSC130P03LSGAUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
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制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
Trans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
P-KANAL - Tape and Reel
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8

BSC130P03LSGAUMA1 技術參數

BSC130P03LS G 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:73.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3670pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC12DN20NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:680pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 5.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC12DN20NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11.3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 5.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 100V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC123N10LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:10.6A（Ta），71A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.3 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:68nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC123N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），55A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12.3 毫歐 @ 33A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 40V 功率 - 最大值:66W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC16DN25NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 BSC196N10NSGATMA1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1