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BSC159N10LS

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSC159N10LS
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
DFN-85X6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSC159N10LSF
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
Infineon
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSC159N10LSF G
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
114
INF
TDSON8
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！！

BSC159N10LSF G
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
8000
INFINEON
TDSON8
22+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

BSC159N10LSF G
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
INFINEON
SUPERSO8
22+
-
十年配單，只做原裝

BSC159N10LS
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
INFINEON
.
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSC159N10LSF G
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
INFINEON
TDSON8
08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSC159N10LSF
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
11630
INFINEON
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優勢供應

BSC159N10LSF G
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-TDSON-8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSC159N10LSF G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15045
INFINEON
1521+
-
全新原裝現貨

BSC159N10LSF G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3500
Infineon
SO8
13+
-
Infineon一級代理，價優

BSC159N10LSFGATMA1
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
5000
INFINEON
主營優勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

BSC159N10LS
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3447
英飛凌
QFN
2232+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

BSC159N10LSF G
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Infineon
22+
-
原裝正品

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BSC159N10LS PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC159N10LS 技術參數

BSC152N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Ta），63A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15.2 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 72μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:5,000 BSC150N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號:BSC150N03 標準包裝:1 BSC150N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標準包裝:1 BSC13DN30NSFDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 300V 16A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2450pF @ 150V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 16A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC130P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Ta），22.5A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:73.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3670pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），69W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 22.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC200P03LSGAUMA1 BSC205N10LS G BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1