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BSC159N10LSFGXT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
BSC159N10LSFGXT 技術(shù)參數(shù)
  • BSC159N10LSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.4A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15.9 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC159N10LSF G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.4A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15.9 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 72μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC152N10NSFGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9.4A(Ta),63A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15.2 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 72μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1900pF @ 50V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC150N03LDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):13.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號(hào):BSC150N03 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC150N03LD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC22DN20NS3 G BSC22DN20NS3GATMA1 BSC240N12NS3 G BSC252N10NSFGATMA1 BSC265N10LSFGATMA1 BSC320N20NS3 G BSC320N20NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1
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