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BSC205N10LSGXT

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
BSC205N10LSGXT 技術參數
  • BSC205N10LS G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.4A(Ta),45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20.5 毫歐 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 43μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2900pF @ 50V 功率 - 最大值:76W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC200P03LSGAUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9.9A(Ta),12.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2430pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC196N10NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.5A(Ta),45A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19.6 毫歐 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 50V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC190N15NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2420pF @ 75V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC190N12NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):120V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8.6A(Ta),44A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 39A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 60V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC360N15NS3GATMA1 BSC440N10NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 BSC520N15NS3GATMA1 BSC600N25NS3 G BSC600N25NS3GATMA1 BSC670N25NSFDATMA1 BSC750N10ND G BSC750N10NDGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03MSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03MSGATMA1 BSC884N03MS G BSC886N03LSGATMA1 BSC889N03LSGATMA1 BSC889N03MSGATMA1 BSC900N20NS3 G
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