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BSP171P(L6327)

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  • BSP171P(L6327)
    BSP171P(L6327)

    BSP171P(L6327)

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • INFINEON

  • SOT223

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  • BSP171P(L6327)
    BSP171P(L6327)

    BSP171P(L6327)

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

  • 1000

  • INFINEON

  • SOT223

  • 假一賠十!

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  • 絕對原裝現貨!

  • BSP171P(L6327)
    BSP171P(L6327)

    BSP171P(L6327)

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • INFINEO

  • SOT223

  • 22+

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  • 全新原裝現貨供應

  • BSP171P(L6327)
    BSP171P(L6327)

    BSP171P(L6327)

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 1000

  • INFINEO

  • SOT223

  • 2011+

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  • 原裝現貨/特價

  • BSP171P(L6327)
    BSP171P(L6327)

    BSP171P(L6327)

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 638850

  • INFINEON

  • SOT223

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BSP171P(L6327) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSP171P(L6327) 技術參數
  • BSP170PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP170PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP170PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP170PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):300 毫歐 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):410pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP16T1G 功能描述:TRANS PNP 300V 0.1A SOT-223 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):2V @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:15MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 標準包裝:1 BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327
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