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BSP19@115

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BSP19@115
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
NXP
SOT223
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

BSP19@115
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
638850
NXP
SOT223
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BSP19@115
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
30000
NXP
SOT223
10+
-
全新原裝現貨

BSP19@115
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
3000
nxp
sot223
10+
-
進口原裝現貨，一定自己庫存

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您是不是要找： BSP19AT1 BSP19AT1G BSP19TA BSP220,115 BSP225,115 BSP230,135 BSP250,115 BSP250,135 BSP254A,126

BSP19@115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSP19@115 技術參數

BSP19,115 功能描述:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:70MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:SOT-223 基本零件編號:BSP19 標準包裝:1 BSP18-3K 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 16-22 AWG Red 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:卷零件狀態:有效端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數:2 端接:壓接線規:16-22 AWG 絕緣:完全絕緣特性:銅焊縫顏色:紅標準包裝:3,000 BSP179H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 歐姆 @ 210mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 94μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:135pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP171PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 460μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP171PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.9A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 460μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:460pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP295E6327 BSP295E6327T BSP295H6327XTSA1 BSP295L6327HTSA1 BSP296 E6433 BSP296E6327 BSP296L6327HTSA1 BSP296L6433HTMA1 BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1