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BSP254A126

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  • BSP254A126
    BSP254A126

    BSP254A126

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 853240

  • PHILIPS

  • 原廠封裝

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  • BSP254A126
    BSP254A126

    BSP254A126

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • PHILIPS

  • SOT54.V

  • 07+

  • -
  • 百分百原裝正品,質量保障價格及優

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
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BSP254A126 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSP254A126 技術參數
  • BSP254A,126 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.2A SOT54 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 歐姆 @ 200mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):90pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BSP250,135 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 1A,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BSP250,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):250pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 1A,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BSP230,135 功能描述:MOSFET P-CH 300V 0.21A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):300V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):210mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.55V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 歐姆 @ 170mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BSP225,115 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.225A SOT223 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):225mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):90pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.5W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 歐姆 @ 200mA,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-223 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 標準包裝:1 BSP296NH6433XTMA1 BSP297 E6327 BSP297H6327XTSA1 BSP297L6327HTSA1 BSP298 E6327 BSP298H6327XUSA1 BSP298L6327HUSA1 BSP299 E6327 BSP299H6327XUSA1 BSP299L6327HUSA1 BSP300 E6327 BSP300H6327XUSA1 BSP300L6327HUSA1 BSP304A,126 BSP31,115 BSP3-120 BSP3-120-LC BSP315P-E6327
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