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BSS-3220D-3R3M-C3

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  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽(yáng)先生

    電話(huà)：0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • BUJEON

  • SMD

  • 20+

  • -

  • 科思奇現(xiàn)貨庫(kù)存聯(lián)系電話(huà)0755-8278...

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話(huà)：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 1800

  • MOLEX

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  • -

  • 全新原裝正品 歡迎來(lái)電0755-8286...

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BSS-3220D-3R3M-C3 技術(shù)參數(shù)
  • BSS316NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 BSS316NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.6nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:94pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS316N H6327 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 1.4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 3.7μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.6nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:94pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS315PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 1.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:2.3nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:282pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS315PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 11μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.3nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:282pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 1.5A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT23-3 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSS64LT1G BSS670S2L BSS670S2L H6327 BSS670S2LH6327XTSA1 BSS670S2LH6433XTMA1 BSS670S2LL6327HTSA1 BSS7728N BSS7728NH6327XTSA1 BSS7728NH6327XTSA2 BSS7728NL6327HTSA1 BSS79C BSS806N H6327 BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NH6327XTSA1 BSS806NL6327HTSA1 BSS816NW L6327 BSS816NWH6327XTSA1 BSS83,215
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