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BSZ035N03MS/G/SSF3604

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BSZ035N03MS/G/SSF3604 技術參數
  • BSZ035N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5700pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ035N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4400pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ034N04LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,OptiMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標準包裝:1 BSZ033NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 18A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1230pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:5,000 BSZ031NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 19A 8SON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.1 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1230pF @ 12V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) 標準包裝:5,000 BSZ0500NSIATMA1 BSZ0501NSIATMA1 BSZ0502NSIATMA1 BSZ0503NSIATMA1 BSZ0506NSATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 BSZ0589NSATMA1 BSZ058N03LS G BSZ058N03LSGATMA1 BSZ058N03MSGATMA1 BSZ060NE2LS BSZ060NE2LSATMA1 BSZ065N03LS BSZ065N03LSATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ067N06LS3 G BSZ067N06LS3GATMA1
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