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BSZ115N03CSC

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSZ115N03CSC
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
INFINEON/英飛凌
TSDSON-8
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

BSZ115N03CSC
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
TSDSON-8
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSZ115N03CSC
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
10000
INFINEON
TSDSON-8
假一賠十！！
-
絕對原裝現貨！

BSZ115N03CSC
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
10000
INFINEON
TSDSON-8
23+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

BSZ115N03CSC
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
INFINEON
.
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

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1

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BSZ115N03CSC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSZ115N03CSC 技術參數

BSZ110N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 22μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標準包裝:1 BSZ110N06NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:33nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），50W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 BSZ110N06NS3 G 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 23μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 30V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ105N04NSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），35W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ105N04NS G 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Ta），40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 14μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8（3.3x3.3）標準包裝:1 BSZ146N10LS5ATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ15DC02KDHXTMA1 BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ165N04NS G BSZ165N04NSGATMA1 BSZ16DN25NS3 G BSZ16DN25NS3GATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ215CHXTMA1 BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1