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BSZ150N10LS3

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  • BSZ150N10LS3G
    BSZ150N10LS3G

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  • 集好芯城
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    聯系人:陳先生 13360533550

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    地址:深圳市福田區深南中路漢國城市商業中心55層 香港新界葵興葵康大廈6樓

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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

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    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

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  • INFINEON/英飛凌

  • QFN

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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    電話:18724450645

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

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    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

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    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 場效應管

  • BSZ150N10LS3GATMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

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    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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  • BSZ150N10LS3GATMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

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  • BSZ150N10LS3GATMA1
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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
    深圳市銘昌源科技有限公司

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    電話:0755-82774613鄧先生(13480915249)微信同步0755-82774613鄧先生

    地址:深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10

    資質:營業執照

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  • SMD

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  • BSZ150N10LS3G
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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • BSZ150N10LS3GATMA1
    BSZ150N10LS3GATMA1

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

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    地址:都會軒3607

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    BSZ150N10LS3 G

    BSZ150N10LS3 G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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  • Infineon

  • S3O8

  • 13+

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  • Infineon一級代理,價優

  • BSZ150N10LS3GATMA1
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  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

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    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

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  • INFINEON

  • 主營優勢

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BSZ150N10LS3 技術參數
  • BSZ146N10LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSZ130N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),35A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ130N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 15V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ130N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),35A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):13nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):970pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ130N03LS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):970pF @ 15V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ215CHXTMA1 BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3GATMA1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1
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