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BSZ160N10NS3GATMA1

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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
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  • 天陽誠業科貿有限公司
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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  • 深圳市芯馳科技有限公司
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    資質:營業執照

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  • Infineon

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    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin TSDSON EP T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
BSZ160N10NS3GATMA1 技術參數
  • BSZ15DC02KDHXTMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:汽車級,AEC-Q101,HEXFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.1A, 3.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 5.1A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 110μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 標準包裝:1 BSZ150N10LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 33μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2500pF @ 50V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ146N10LS5ATMA1 功能描述:MV POWER MOS 制造商:infineon technologies 系列:* 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8-FL 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:5,000 BSZ130N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),35A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1300pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSZ130N03MS G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta),35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 15V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TSDSON-8(3.3x3.3) 標準包裝:1 BSZ240N12NS3 G BSZ240N12NS3GATMA1 BSZ300N15NS5ATMA1 BSZ340N08NS3 G BSZ340N08NS3GATMA1 BSZ42DN25NS3 G BSZ42DN25NS3GATMA1 BSZ440N10NS3 G BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ520N15NS3 G BSZ520N15NS3GATMA1 BSZ900N15NS3 G BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ900N20NS3 G BSZ900N20NS3GATMA1 BT/RT-18X26.5-A BT00M12S-3P BT-01-50M
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