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CSD-150

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CSD-150 技術參數
  • CSD13385F5T 功能描述:12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.3A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):674pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 900mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD13385F5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 7.1A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.1A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5nC @ 4.5V Vgs(最大值):8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):674pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散(最大值):500mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 900mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD13383F4T 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):44 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):291pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD13383F4 功能描述:MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):44 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):291pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD13381F4T 功能描述:MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):200pF @ 6V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-PICOSTAR 標準包裝:1 CSD16168SS CSD16208 CSD16208SS CSD16301Q2 CSD16321Q5 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T CSD16340Q3 CSD16340Q3T CSD16342Q5A CSD163CEVM-591
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