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CSD16128W

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  • 制造商
  • Pentair Technical Products / Hoffman
  • 功能描述
  • ENCLOSURE, WALL MOUNT, STEEL, GRAY; Enclosure Type
CSD16128W 技術(shù)參數(shù)
  • CSD16128 功能描述:BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類型:盒 大小/尺寸:15.984" 長 x 12.008" 寬(406.00mm x 305.00mm) 高度:7.992"(203.00mm) 面積(L x W):192 in2(1239 cm2) 設(shè)計:鉸鏈?zhǔn)介T,蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號 特性:密封墊,壁裝 等級:IP66,NEMA 4,12,13,UL-508A 材料可燃性等級:- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運送 重量:16 磅(7.3kg) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16126 功能描述:BOX STEEL GRAY 15.98"L X 12.01"W 制造商:hoffman enclosures, inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 容器類型:盒 大小/尺寸:15.984" 長 x 12.008" 寬(406.00mm x 305.00mm) 高度:5.984"(152.00mm) 面積(L x W):192 in2(1239 cm2) 設(shè)計:鉸鏈?zhǔn)介T,蓋 材料:金屬 - 鋼 顏色:灰色 厚度:18 號 特性:密封墊,壁裝 等級:IP66,NEMA 4,12,13,UL-508A 材料可燃性等級:- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運送 重量:16 磅(7.3kg) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15571Q2 功能描述:MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):419pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:6-SON(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15380F3T 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1190 毫歐 @ 100mA, 8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.281nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD15380F3 功能描述:MOSFET N-CH 20V 500MA PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1190 毫歐 @ 100mA, 8V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.35V @ 2.5μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.281nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10.5pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商器件封裝:3-PICOSTAR 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16321Q5C CSD16322Q5 CSD16322Q5C CSD16323Q3 CSD16323Q3C CSD16325Q5 CSD16325Q5C CSD16327Q3 CSD16327Q3T CSD16340Q3 CSD16340Q3T CSD16342Q5A CSD163CEVM-591 CSD16401Q5 CSD16401Q5T CSD16403Q5A CSD16404Q5A CSD16406Q3
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