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CSD1782CQ

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CSD1782CQ 技術參數

CSD17585F5T 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD17585F5 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:FemtoFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 900mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-PICOSTAR 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 CSD17581Q5AT 功能描述:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），123A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.4 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（5x6）標準包裝:1 CSD17581Q3AT 功能描述:30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）標準包裝:1 CSD17581Q3A 功能描述:30V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3640pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），63W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 16A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:8-VSONP（3x3.15）封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 CSD18504Q5AT CSD18509Q5B CSD18509Q5BT CSD18510KCS CSD18510KTT CSD18510KTTT CSD18510Q5B CSD18510Q5BT CSD18511KCS CSD18511KTT CSD18511KTTT CSD18511Q5A CSD18511Q5AT CSD18512Q5B CSD18512Q5BT CSD18513Q5A CSD18513Q5AT CSD18514Q5A