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JANS1N6117A

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

JANS1N6117A
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
B
23+
-
微芯專營優勢產品

JANS1N6117A
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
SEMTECH/美國升特
SMD
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

JANS1N6117A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
SEMTECH
SMD
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

JANS1N6117A
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9800
SEMTECH
SMD
18+
-
優勢庫存，原裝現貨

JANS1N6117A
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
聯系人：吳
電話：18320850923
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場1713室
50
SEMTECH/美國升特
SMD
1447
-
真芯合作銳意進取

1/1頁 40條/頁共9條
1

您是不是要找： JANS1N6125A JANS1N6159AUS JANS1N6309 JANS1N6309C JANS1N6309CUS JANS1N6309D JANS1N6309DUS JANS1N6310C JANS1N6310CUS

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode TVS Single Bi-Dir 22.8V 500W 2-Pin Case E
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR - Waffle Pack

JANS1N6117A 技術參數

JANS1N5969US 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5969CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5968US 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5819-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/586 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:490mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:70pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 JANS1N6310D JANS1N6310DUS JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS JANS1N6311CUS/TR JANS1N6311DUS JANS1N6311US JANS1N6311US/TR JANS1N6312 JANS1N6312C JANS1N6312CUS JANS1N6312CUS/TR JANS1N6312D JANS1N6312DUS JANS1N6312US JANS1N6312US/TR