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JANS1N6140US

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JANS1N6140US
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
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23+
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微芯專營優勢產品

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JANS1N6140US PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

JANS1N6140US 技術參數

JANS1N5969US 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5969CUS 功能描述:Zener Diode 6.2V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 4.74V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5968US 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5968 功能描述:Zener Diode 5.6V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5000μA @ 4.28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:E，軸向供應商器件封裝:E，軸向標準包裝:1 JANS1N5819-1 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/586 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:490mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:70pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 JANS1N6310DUS JANS1N6310US JANS1N6311 JANS1N6311C JANS1N6311CUS JANS1N6311CUS/TR JANS1N6311DUS JANS1N6311US JANS1N6311US/TR JANS1N6312 JANS1N6312C JANS1N6312CUS JANS1N6312CUS/TR JANS1N6312D JANS1N6312DUS JANS1N6312US JANS1N6312US/TR JANS1N6313