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STL-1-750-20-01

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  • 功能描述
  • TWIST LOK STANDOFF 1 1/4 X 1.45"
  • RoHS
  • 類別
  • 線纜,導線 - 管理 >> 線夾和夾具
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 100
  • 系列
  • TC
  • 類型
  • C-夾
  • 開口尺寸
  • 0.79" L x 0.54" W x 0.67" H(20.1mm x 13.7mm x 17.0mm)
  • 安裝類型
  • 釘子
  • 材質
  • 聚丙烯
  • 顏色
STL-1-750-20-01 技術參數
  • STL16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):299 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1250pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標準包裝:1 STL16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):395 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):718pF @ 100V 功率 - 最大值:56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL16N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):355 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):704pF @ 100V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL16N1VH5 功能描述:MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 8A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):500mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2085pF @ 12V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標準包裝:1 STL160NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.1 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3245pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL190N4F7AG STL19N60DM2 STL19N60M2 STL19N65M5 STL200N45LF7 STL20DN10F7 STL20DNF06LAG STL20N6F7 STL20NF06LAG STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND
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