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參數資料
| 型號： | SML100C4 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:1000V,Id(cont):3.6A,Rds(on):4.00Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω)) |
| 中文描述： | N溝道增強模式高壓功率MOSFET（減振鋼板基本：1000V的ID已（續）：3.6A時，RDS（上）：4.00Ω）（不適用溝道增強型，高電壓功率馬鞍山場效應管（減振鋼板基本：1000V的ID已（續）：9A條的Rds（on）：1.100Ω）） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 20K |
| 代理商： | SML100C4 |
Characteristic
Junction to Case
Junction to Ambient
Min.
Typ.
Max.
1.00
50
Unit
R
q
JC
R
q
JA
°C/W
THERMAL CHARACTERISTICS
SML100C4
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk6/99
N–CHANNEL
ENHANCEMENT MODE
HIGH VOLTAGE
POWER MOSFETS
1) Repetitive Rating: Pulse Width limited by maximum junction temperature.
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
P
D
T
J
, T
STG
T
L
Drain – Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
Gate – Source Voltage
Total Power Dissipation @ T
case
= 25°C
Derate Linearly
Operating and Storage Junction Temperature Range
Lead Temperature : 0.063” from Case for 10 Sec.
1000
3.6
14.4
±30
125
1.0
-55 to +150
300
V
A
V
W
W/°C
°C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
DSS
I
D(cont)
R
DS(on)
1000V
3.6A
4.00
W
Faster Switching
Lower Leakage
TO–254 Hermetic Package
D
S
G
1
2
3
13.59 (0.535)
13.84 (0.545)
3.53 (0.139)
6.32 (0.249)
6.60 (0.260)
1.02 (0.040)
1.27 (0.050)
3
3
1
1
1
1
2
2
3.81 (0.150)
BSC
0.89 (0.035)
1.14 (0.045)
3.81 (0.150)
BSC
TO
–
254 Package Outline.
Dimensions in mm (inches)
Pin 1
–
Drain
Pin 2
–
Source
Pin 3
–
Gate
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PDF描述 |
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