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參數(shù)資料
型號: SS9014
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN Epitaxial Silicon Transistor(Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise)(NPN硅外延晶體管(適用于低電平、低噪聲、前置放大器))
中文描述: 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: TO-92, 3 PIN
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 62K
代理商: SS9014
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
S
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Base Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
50
45
5
100
450
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=50V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
I
C
=100mA, I
B
=5mA
V
CE
=5V, I
C
=2mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=10mA
V
CE
=5V, I
C
=0.2mA
f=1KHz, R
S
=2K
Min.
50
45
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
50
50
60
280
0.14
0.84
0.63
2.2
1000
0.3
1.0
0.7
3.5
V
V
pF
0.58
f
T
NF
Current Gain Bandwidth Product
Noise Figure
150
270
0.9
MHz
dB
10
A
B
C
D
60 ~ 150
100 ~ 300
200 ~ 600
400 ~ 1000
1. Emitter 2. Base 3. Collector
SS9014
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
High total power dissipation. (P
T
=450mW)
High hFE and good linearity
Complementary to SS9015
TO-92
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SS9015 PNP Epitaxial Silicon Transistor(Low Frequency, Low Noise Amplifier)(PNP硅外延晶體管(適用于低頻率、低噪聲、放大器))
SS9016 NPN Epitaxial Silicon Transistor(AM Converter, FM/RF Amplifier of Low Noise.)(NPN硅外延晶體管(適用于AM轉(zhuǎn)換器、低噪聲AM/FM 放大器))
SS9018 NPN Epitaxial Silicon Transistor(AM/FM Amplifier, Local Oscillator of FM/VHF Tuner)(NPN硅外延晶體管(適用于AM/FM 放大器、FM/VHF調(diào)諧器的本機(jī)震蕩器))
SSD2007A Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2007 Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SS9014A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
SS9014ABU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
SS9014B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
SS9014BBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/10mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
SS9014BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/100MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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