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參數資料
| 型號： | STB10NA40 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道增強模式快速功率MOS晶體管（不適用溝道增強模式快速功率MOSFET的） |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | STB10NA40 |
STB10NA40
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
TYPICALR
DS(on)
= 0.46
±
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
100% AVALANCHETESTED
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
LOW INTRINSIC CAPACITANCES
GATE CHARGE MINIMIZED
REDUCED THRESHOLD VOLTAGESPREAD
THROUGH-HOLE I2PAK (TO-262) POWER
PACKAGE IN TUBE(SUFFIX ”-1”)
SURFACE-MOUNTING D2PACK (TO-263)
POWERPACKAGE IN TUBE(NO SUFFIX)
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
SWITCHMODE POWER SUPPLIES (SMPS)
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWERSUPPLIES AND MOTOR DRIVE
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
400
V
V
DGR
400
V
V
GS
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
30
10
V
I
D
I
D
A
6.3
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
40
A
P
tot
125
W
Derating Factor
1
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulsewidth limitedby safe operating area
150
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.55
I
D
STB10NA40
400 V
10 A
October1995
123
1
3
I2PAK
TO-262
D2PAK
TO-263
1/10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB10NC50-1 | CAP OXI NIOB 47UF 10V 20% SMD |
| STB11NK50Z | N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STB120NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
| STP120NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
| STB120NH03L | N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STB10NA40-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-262VAR |
| STB10NA40T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| STB10NB20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 200V - 0.30ohm - 10A - D2PAK PowerMESH] MOSFET |
| STB10NB20T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-263AB |
| STB10NB50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK PowerMESH] MOSFET |
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