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參數資料
| 型號： | STE110NA20 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | 熱敏電阻 |
| 英文描述： | NTC Thermistor; Resistance:39ohm; Thermistor Tolerance:+/- 5%; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes |
| 中文描述： | ? -快速通道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 106K |
| 代理商： | STE110NA20 |
STE110NA20
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.015
I
HIGH CURRENT POWER MODULE
I
AVALANCHERUGGED TECHNOLOGY
I
VERYLARGE SOA - LARGE PEAKPOWER
CAPABILITY
I
EASY TO MOUNT
I
SAMECURRENT CAPABILITYFOR THE
TWOSOURCE TERMINALS
I
EXTREMELY LOW Rth (Junction to case)
I
VERYLOW INTERNAL PARASITIC
INDUCTANCE
I
ISOLATEDPACKAGE UL RECOGNIZED
APPLICATIONS
I
SMPS& UPS
I
MOTOR CONTROL
I
WELDING EQUIPMENT
I
OUTPUT STAGE FOR PWM, ULTRASONIC
CIRCUITS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
200
V
200
V
V
GS
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
±
30
110
V
I
D
A
I
D
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
73
A
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
440
A
P
tot
450
W
Derating Factor
3.6
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
-55 to 150
Max. Operating Junction Temperature
150
V
ISO
Insulation Withhstand Voltage (AC-RMS)
(
) Pulsewidth limited by safe operating area
2500
V
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.019
I
D
STE110NA20
200 V
110 A
March 1996
ISOTOP
1/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STE15NA100 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOS晶體管) |
| STE180N10 | N - CHANNEL 100V - 5.5 mohm - 180A - ISOTOP POWER MOSFET |
| STE180NE10 | N-CHANNEL 100V - 4.5 mohm - 180A ISOTOP STripFET] POWER MOSFET |
| STE250NS10 | N-CHANNEL 100V - 0.0045 W - 220A ISOTOP STripFET POWER MOSFET |
| STE250N06 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STE110NS20FD | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N ISOT-OP |
| STE110NS20FD_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 200V - 0.022ヘ - 110A - ISOTOP MESH OVERLAY⑩ Power MOSFET |
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