型號: | STGP7NB60KFP |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
中文描述: | N溝道第7A - 600V的- IGBT的TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ |
文件頁數: | 1/14頁 |
文件大小: | 710K |
代理商: | STGP7NB60KFP |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STGP7NB60K | N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
STGD7NB60St4 | N-CHANNEL 7A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
STGF20NB60S | N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT |
STGP12NB60K | SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT |
STGP7NB60HDFP | N-Channel 7A-600V- TO-220/FP PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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STGP7NB60M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/DPAK POWERMESH IGBT |
STGP7NB60MD | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/D2PAK POWERMESH IGBT |
STGP7NC60H | 功能描述:IGBT 晶體管 V-FAST POWERMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGP7NC60HD | 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
STGP8NC60K | 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 600V 0.270 ohm 14A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |