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參數(shù)資料
| 型號： | STP45N10 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-Channel 100V-0.027Ω-45A- TO-220/TO-220FI Power MOS Transistor(N溝道功率MOS晶體管) |
| 中文描述： | N溝道100V的，0.027Ω- 45A條，TO-220/TO-220FI功率MOS晶體管（不適用馬鞍山溝道功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 432K |
| 代理商： | STP45N10 |
STP45N10
STP45N10FI
N - CHANNEL 100V - 0.027
- 45A - TO-220/TO-220FI
POWER MOS TRANSISTOR
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.027
I
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
I
100% AVALANCHE TESTED
I
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100
o
C
I
LOW GATE CHARGE
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
175
o
C OPERATING TEMPERATURE
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SOLENOID AND RELAY DRIVERS
I
DC-DC & DC-AC CONVERTERS
I
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,
ABS, AIR-BAG, LAMP DRIVERS. Etc.)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
STP45N10
STP45N10FI
V
DS
V
DGR
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
100
V
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
100
V
V
GS
±
25
V
I
D
45
24
A
I
D
32
17
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
180
180
A
150
45
W
Derating Factor
1
0.3
W/
o
C
V
ISO
Insulation Withstand Voltage (DC)
2000
V
o
C
o
C
T
stg
T
j
Storage Temperature
-65 to 175
Max. Operating Junction Temperature
175
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.035
< 0.035
I
D
STP45N10
STP45N10FI
100 V
100 V
45 A
24 A
June 1998
1
2
3
TO-220 ISOWATT220
1
2
3
1/10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP4N100 | N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOSFET) |
| STP4NB100FP | N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STP4NB100 | N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STP4NB30 | N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET |
| STP4NB30FP | N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP45N10F7 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A |
| STP45N10FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.027ohm - 45A - TO-220/TO-220FI POWER MOS TRANSISTOR |
| STP45N40DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 38A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP45N60DM2AG | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:34A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:93 毫歐 @ 17A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP45N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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