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參數資料
型號: STX13005
廠商: 意法半導體
英文描述: HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
中文描述: 高壓快速開關NPN電源晶體管
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 313K
代理商: STX13005
1/8
November 2002
STX13005
STX13005-AP
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING
NPN POWER TRANSISTOR
I
HIGH VOLTAGE CAPABILITY
I
LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
I
MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR
RELIABLE OPERATION
I
VERY HIGH SWITCHING SPEED
APPLICATIONS:
I
COMPACT FLUORESCENT LAMPS (CFLS)
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (AC / DC
CONVERTERS)
DESCRIPTION
The device is manufactured using High Voltage
Multi Epitaxial Planar technology for high switching
speeds and high voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar edge
termination to enhance switching speeds while
maintaining a wide RBSOA.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
V
CEO
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
V
EBO
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0, I
B
< 1.5 A, t
p
< 10 ms)
I
C
Collector Current
I
CM
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
I
B
Base Current
I
BM
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
P
tot
Total Dissipation at T
c
= 25 °C
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
Ordering Code
Marking
Shipment
STX13005
STX13005-AP
X13005
X13005
Bulk
Ammopack
Parameter
Value
Unit
700
V
400
V
V
(BR)EBO
V
3
A
6
A
1.5
A
3
A
2.8
W
–65 to 150
°C
150
°C
TO-92
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料
PDF描述
STX13005-AP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STX715 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
STX817 NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR
STY25NA60 N-Channel 600V-0.225Ω-25A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET)
STY30NA50 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式功率MOS晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
STX13005_05 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STX13005-AP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
STX13005-APH 功能描述:兩極晶體管 - BJT Hi Vltg Fast Switch NPN Pwr Transistr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13005G 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STX13005G-AP 功能描述:MOSFET H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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