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參數資料
| 型號： | W24LH8S-55LE |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | Normal speed, Very low power CMOS static RAM Organized as 32768 x 8 bits |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.330 INCH, SOP-28 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | W24LH8S-55LE |
W24LH8
Publication Release Date: March 2001
- 7 -
Revision A3
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(T
A
(
°
C) = -20 to 85 for LE; -40 to 85 for LI)
PARAMETER
SYM.
V
DR
TEST CONDITIONS
#CS
≥
V
DD
-0.2V
#CS
≥
V
DD
-0.2V, V
DD
= 3V
See data retention waveform
MIN.
2.0
TYP. MAX. UNIT
-
-
V
DD
for Data Retention
V
Data Retention Current
I
DDDR
-
-
5
μ
A
nS
Chip Deselect to Data
Retention Time
Operation Recovery Time
*
Read Cycle Time
T
CDR
0
-
-
T
R
T
RC
*
-
-
nS
DATA RETENTION WAVEFORM
T
CDR
V
DD
V
IH
T
R
V
IH
#CS
V
DR
2V
=
-0.2V
DD
V
#CS=
0.9
DD
V
0.9
DD
V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W24LH8S-55LI | Normal speed, Very low power CMOS static RAM Organized as 32768 x 8 bits |
| W24V04 | 512K×8bit CMOS Static RAM(512K×8位CMOS靜態RAM) |
| W256 | 12 Output Buffer for 2 DDR and 3 SRAM DIMMS |
| W256H | 12 Output Buffer for 2 DDR and 3 SRAM DIMMS |
| W256HT | 12 Output Buffer for 2 DDR and 3 SRAM DIMMS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W24LH8S-55LI | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:Normal speed, Very low power CMOS static RAM Organized as 32768 x 8 bits |
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| W24R200JBLF | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 .2ohm 14watt 5% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數:200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產品:Power Resistors Wirewound High Energy |
| W24R470JB | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 .47ohm 14watt 5% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數:200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產品:Power Resistors Wirewound High Energy |
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