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參數資料
| 型號： | W26L010A-12 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 64K的× 16高速CMOS靜態RAM |
| 文件頁數： | 2/10頁 |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | W26L010A-12 |
W26L010A
- 2 -
TRUTH TABLE
CS
OE
WE
LB
UB
MODE
I/O1 I/O8
I/O9 I/O16
V
DD
CURRENT
H
X
X
X
X
Not Selected
High Z
High Z
I
SB
, I
SB1
L
H
H
X
X
Output Disable
High Z
High Z
I
DD
L
L
H
L
L
2 Bytes Read
D
OUT
D
OUT
I
DD
L
L
H
L
H
Lower Byte Read
D
OUT
High Z
I
DD
L
L
H
H
L
Upper Byte Read
High Z
D
OUT
I
DD
L
X
L
L
L
2 Bytes Write
D
IN
D
IN
I
DD
L
X
L
L
H
Lower Byte Write
D
IN
High Z
I
DD
L
X
L
H
L
Upper Byte Write
High Z
D
IN
I
DD
L
X
X
H
H
Output Disable
High Z
High Z
I
DD
DC CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
PARAMETER
RATING
UNIT
Supply Voltage to V
SS
Potential
-0.5 to +4.6
V
Input/Output to V
SS
Potential
-0.5 to V
DD
+0.5
V
Allowable Power Dissipation
1.5
W
Storage Temperature
-65 to +150
°
C
°
C
Operating Temperature
0 to +70
Note: Exposure to conditions beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may adversely affect the life and reliability of the
device.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W26L010AJ-12 | 64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| W26L04A | 128K×16bit High-Speed CMOS Static RAM(128K×16位高速CMOS靜態RAM) |
| W26L04 | 256K×16bit CMOS Static RAM(256K×16位CMOS靜態RAM) |
| W26L11 | 64K×16bit CMOS Static RAM(64K×16位CMOS靜態RAM) |
| W26NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W26L010AJ-10 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| W26L010AJ-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| W26L010AT-10 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| W26L010AT-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| W26NM50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.10ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
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