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參數資料
| 型號： | W26L04A |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 128K×16bit High-Speed CMOS Static RAM(128K×16位高速CMOS靜態RAM) |
| 中文描述： | 128K的× 16位高速CMOS靜態RAM（128K的× 16位高速的CMOS靜態RAM）的 |
| 文件頁數： | 10/10頁 |
| 文件大小： | 144K |
| 代理商： | W26L04A |
Preliminary W26L04A
- 10 -
VERSION HISTORY
VERSION
DATE
PAGE
DESCRIPTION
A1
Oct. 1999
-
Initial Issued
Headquarters
No. 4, Creation Rd. III,
Science-Based Industrial Park,
Hsinchu, Taiwan
TEL: 886-3-5770066
FAX: 886-3-5796096
http://www.winbond.com.tw/
Voice & Fax-on-demand: 886-2-27197006
Taipei Office
11F, No. 115, Sec. 3, Min-Sheng East Rd.,
Taipei, Taiwan
TEL: 886-2-27190505
FAX: 886-2-27197502
Winbond Electronics (H.K.) Ltd.
Rm. 803, World Trade Square, Tower II,
123 Hoi Bun Rd., Kwun Tong,
Kowloon, Hong Kong
TEL: 852-27513100
FAX: 852-27552064
Winbond Electronics North America Corp.
Winbond Memory Lab.
Winbond Microelectronics Corp.
Winbond Systems Lab.
2727 N. First Street, San Jose,
CA 95134, U.S.A.
TEL: 408-9436666
FAX: 408-5441798
Note: All data and specifications are subject to change without notice.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W26L04 | 256K×16bit CMOS Static RAM(256K×16位CMOS靜態RAM) |
| W26L11 | 64K×16bit CMOS Static RAM(64K×16位CMOS靜態RAM) |
| W26NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W27C010 | 128K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
| W27C010-15 | 128K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| W26NM50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.10ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W26NM60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W-27 | 制造商:Hozan Tool Industrial Co Ltd 功能描述: |
| W270-15TWL | 制造商:TAN 功能描述:WS727X015 |
| W-27-0809 | 制造商:Hozan Tool Industrial Co Ltd 功能描述: |
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