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1N5408T

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  • 1N5408T-G
    1N5408T-G

    1N5408T-G

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Comchip

  • DO-201AD

  • 11+

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  • 100%進口原裝正品,只做原裝

  • 1N5408T
    1N5408T

    1N5408T

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 799

  • MICROSEMI CORP

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1N5408TB
    1N5408TB

    1N5408TB

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

    資質:營業執照

  • 6000

  • KEL

  • DO-201A

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現貨供應

  • 1N5408T
    1N5408T

    1N5408T

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號,原裝正品現貨!!

  • 1N5408T-G
    1N5408T-G

    1N5408T-G

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生

    電話:1376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 11990

  • Comchip Technology

  • DO-210AD

  • 25+

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
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1N5408T PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
1N5408T 技術參數
  • 1N5408RLG 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408RL 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 170°C 標準包裝:1,200 1N5408G-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):2μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 時的電容:40pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5408GP-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:30pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,400 1N5417-TAP 1N5417TR 1N5417US 1N5418 1N5418C.TR 1N5418-TAP 1N5418TR 1N5418US 1N5419 1N5419E3 1N5419US 1N5420 1N5420US 1N5518B 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35)
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