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1N5420-E3/54

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1N5420-E3/54
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：史仙雁
電話：19129911934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
850000
Vishay Semiconductors
Case G-4-2
12+
-
全新原裝現(xiàn)貨庫存！400-800-030...

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您是不是要找： 1N5420US 1N5518B 1N5518B (DO35) 1N5518BUR-1 1N5519B 1N5519B (DO35) 1N5519BUR-1 1N5520B 1N5520B (DO35)

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功能描述
整流器 3.0 Amp 600 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
產(chǎn)品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向電壓
100 V
正向電壓下降
恢復(fù)時間
1.2 us
正向連續(xù)電流
2 A
最大浪涌電流
35 A
反向電流 IR
5 uA
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-221AC
封裝
Reel

1N5420-E3/54 技術(shù)參數(shù)

1N5420 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5419US 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5419E3 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5419 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5418US 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:150ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5520BUR-1 1N5521B 1N5521B (DO35) 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35)