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參數資料
| 型號： | 2PD1820AQ-T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 101K |
| 代理商： | 2PD1820AQ-T |
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1997 May 22
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PD1820A
NPN general purpose transistor
dbook, halfpage
M3D187
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD1820AST/R | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD601AQ,115 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD601AT/R | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD602ARL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD602AQL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2PD1820AR | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor |
| 2PD1820AR T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD1820AR,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD1820AS | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN General Purpose Transistor |
| 2PD1820AS T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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