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APTGLQ300A120G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGLQ300A120G
    APTGLQ300A120G

    APTGLQ300A120G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTGLQ300A120G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態
  • 在售
  • IGBT 類型
  • 溝槽型場截止
  • 配置
  • 半橋
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 1200V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 500A
  • 功率 - 最大值
  • 1500W
  • 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on)
  • 2.42V @ 15V,300A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 200μA
  • 不同?Vce 時的輸入電容(Cies)
  • 17.6nF @ 25V
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應商器件封裝
  • SP6
  • 標準包裝
  • 1
APTGLQ300A120G 技術參數
  • APTGLQ25H120T2G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.42V @ 15V,25A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.43nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTGLQ25H120T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:165W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.42V @ 15V,25A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):1.43nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGLQ200HR120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop 1200V 300A 1000W Through Hole SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:* 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):300A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,160A 電流 - 集電極截止(最大值):200μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):9.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ200H65G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):270A 功率 - 最大值:680W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V, 200A 電流 - 集電極截止(最大值):75μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):12.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200V 350A 1000W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):350A 功率 - 最大值:1000W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,200A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGLQ50H65T3G APTGLQ50TL65T3G APTGLQ50VDA65T3G APTGLQ600A65T6G APTGLQ75H120T3G APTGLQ75H120TG APTGLQ75H65T1G APTGLQ80HR120CT3G APTGT100A1202G APTGT100A120D1G APTGT100A120T3AG APTGT100A120TG APTGT100A170D1G APTGT100A170TG APTGT100A602G APTGT100A60T1G APTGT100A60TG APTGT100BB60T3G
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